一种封装体散热结构及功率半导体器件

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摘要

本实用新型公开了一种封装体散热结构及功率半导体器件，封装体散热结构包括：封装体，散热片，以及设置在封装体与散热片之间的DBC基板，DBC基板能够在封装体与散热片之间实现绝缘，并能够使封装体的热量传递到散热片上；DBC基板的顶部金属层电连接有集电极引脚，DBC基板的顶部金属层与集电极引脚一体成型，DBC基板的陶瓷层上设置有栅极引脚和发射极引脚。通过在封装体与散热片之间设置DBC基板，由于DBC基板中间陶瓷层的绝缘性能，不需要封装体与散热片之间添加绝缘材料，保证了封装体与散热片之间良好的绝缘，同时又不影响封装体的散热性能。采用上述封装体散热结构的功率半导体器件节能，高效，且具有良好的系统可靠性。

基本信息

专利标题：

一种封装体散热结构及功率半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020185049.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-02-19

授权号：

CN211428144U

授权日：

2020-09-04

发明人：

郑楠楠史波敖利波曾丹

申请人：

珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司

申请人地址：

广东省珠海市前山金鸡西路

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司

代理人：

吴大建

优先权：

CN202020185049.X

主分类号：

H01L23/31

IPC分类号：

H01L23/31 H01L23/367