半导体器件
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种半导体器件。图2所示的熔丝外围电路具有：熔丝(10)、电位差给予电路(20)、电位差减小电路(30)、端子(40)、存储器电路(50)、传输门(60)以及逻辑门(70)。电位差给予电路(20)被构造为具有：传输门(22)，即第一传输门；端子(24)，即第一端子；以及端子(26)，从而当判断熔丝(10)的断开时，电位差给予电路(20)给予熔丝(10)的两端的之间的预定电位差。电位差减小电路(30)被构造为具有：传输门(32)，即第二传输门；端子(34)，即第二端子；以及端子(36)，并且减小由上述电位差给予电路(20)施加的熔丝(10)的两端之间的电位差。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1855486A
申请号 ：
CN200610002481.5
公开（公告）日 ：
2006-11-01
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
上田岳洋
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙志湧
优先权 ：
CN200610002481.5
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L23/525 G11C29/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2015-03-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101602904314
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL2006100024815
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20140126
号牌文件序号 : 101602904314
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL2006100024815
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20140126
2010-12-29 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101057786713
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL2006100024815
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县
变更后 : 日本神奈川县
号牌文件序号 : 101057786713
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL2006100024815
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县
变更后 : 日本神奈川县
2009-05-06 ：
授权
2006-12-27 ：
实质审查的生效
2006-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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