一种半导体结构处理机台及操作方法、静电吸盘
授权
摘要
本发明提供一种半导体结构处理机台及操作方法、静电吸盘，包括：静电吸盘，静电吸盘包括贯穿静电吸盘的第一贯穿孔；传输通道，传输通道与第一贯穿孔连通，以允许第一物质在操作中经由传输通道到达第一贯穿孔；第一冷却装置，第一冷却装置包括不同于第一物质的第二物质且被配置为在操作中利用第二物质降低第一物质的温度，第一物质和第二物质的沸点均小于零度，第一物质的沸点小于第二物质的沸点。由于第一冷却装置包括不同于第一物质的第二物质且第一物质的沸点小于第二物质的沸点，能够通过第二物质降低第一物质的温度，进而通过第一物质更好的降低静电吸盘上晶圆的温度，降低由于热应力造成的晶圆弯曲变形，提高器件性能。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体结构处理机台及操作方法、静电吸盘
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113421814A
申请号 ：
CN202110682643.9
公开（公告）日 ：
2021-09-21
申请日 ：
2021-06-18
授权号 ：
CN113421814B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
王雄禹王新胜涂飞飞张莉
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨丽爽
优先权 ：
CN202110682643.9
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/683 C23C16/458
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-10-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20210618
申请日 : 20210618
2021-09-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
