改进的半导体机台
专利权的终止
摘要
一种适用于晶圆制程,具有防止残留钯材颗粒污染以及提高清洁效率的改进的半导体机台。此半导体机台包括一制程室、一挡板、一晶圆载盘、以及一承载装置。其中挡板设置于制程室内并具有一抵接部;晶圆载盘设置于制程室内,该盘缘与该抵接部为一可相互抵接的对应结构;而承载装置具有晶圆载盘连接的一顶端。此半导体机台利用挡板将残留钯材颗粒加以吸附与阻隔,达到防止残留钯材颗粒污染晶圆制程的目的、以及提升半导体机台内晶圆制程的效率。
基本信息
专利标题 :
改进的半导体机台
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620132708.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-08-25
授权号 :
CN200981890Y
授权日 :
2007-11-28
发明人 :
梁金堆林俊良
申请人 :
联萌科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹县竹北市光明六路47号9楼
代理机构 :
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 :
谢丽娜
优先权 :
CN200620132708.3
主分类号 :
C23C14/34
IPC分类号 :
C23C14/34 C23C14/54 H01L21/00 H01L21/203 H01L21/283 H01L21/31 H01L21/3205
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2010-11-10 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101014883811
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL2006201327083
申请日 : 20060825
授权公告日 : 20071128
终止日期 : 20090925
号牌文件序号 : 101014883811
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL2006201327083
申请日 : 20060825
授权公告日 : 20071128
终止日期 : 20090925
2008-06-04 :
专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 联萌科技股份有限公司
变更后权利人 : 力鼎精密股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 中国台湾新竹县竹北市光明六路47号9楼,邮编 :
变更后 : 中国台湾苗栗县,邮编 :
登记生效日 : 20080425
变更前权利人 : 联萌科技股份有限公司
变更后权利人 : 力鼎精密股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 中国台湾新竹县竹北市光明六路47号9楼,邮编 :
变更后 : 中国台湾苗栗县,邮编 :
登记生效日 : 20080425
2007-11-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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