半导体机台的改良机构
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及一种适用于晶圆制程，具有快速清洁以及提高效率的半导体机台的改良机构。此半导体机台包括一蚀刻制程室、多个沉积制程室、以及一移转室。蚀刻制程室具有多个晶圆载盘与一溅射清洁装置。移转室设置于蚀刻制程室与多个沉积制程室之间，且用于移转蚀刻制程室与多个沉积制程室内的多个晶圆。此半导体机台借助蚀刻制程室内多个晶圆载盘的配置，达到提升溅射清洁效率的功能，以提高半导体制程效率。
基本信息
专利标题 ：
半导体机台的改良机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720125506.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-08-17
授权号 ：
CN201153117Y
授权日 ：
2008-11-19
发明人 ：
刘相贤简文隆郑启民蔡明仑江宗宪
申请人 ：
力鼎精密股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾苗栗县
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陈肖梅
优先权 ：
CN200720125506.0
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/02 H01L21/67 H01L21/311 H01L21/3105
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2011-11-02 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101125710947
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2007201255060
申请日 : 20070817
授权公告日 : 20081119
终止日期 : 20100817
号牌文件序号 : 101125710947
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2007201255060
申请日 : 20070817
授权公告日 : 20081119
终止日期 : 20100817
2008-11-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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