半导体机台的改良结构

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种适用于晶圆沉积制程，具有降低污染物附着效果以及提高操作效率的半导体机台的改良结构。此半导体机台包括一外盖、一背板、一靶材绝缘板、一靶材、以及一沉积物挡板。靶材绝缘板设置于外盖与背板之间。靶材通过靶材绝缘板连接于外盖上。沉积物挡板具有一顶面，此顶面邻接且不直接接触于靶材绝缘板。此半导体机台借助沉积物挡板达到吸附靶材污染物，以降低靶材污染物附着于靶材绝缘板的功能，以提高半导体机台操作与使用效率。

基本信息

专利标题：

半导体机台的改良结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720125505.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-08-17

授权号：

CN201089790Y

授权日：

2008-07-23

发明人：

刘相贤郑启民

申请人：

力鼎精密股份有限公司

申请人地址：

中国台湾苗栗县

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

陈肖梅

优先权：

CN200720125505.6

主分类号：

C23C14/34

IPC分类号：

C23C14/34 C23C14/54 H01L21/203 H01L21/363