微移动器件及使用湿蚀刻的制造方法
授权
摘要
一种微移动器件，包括：基础衬底；固定部，其与基础衬底接合；可移动部，其具有连接至固定部的固定端，并沿着基础衬底延伸；以及压电驱动部，其设置在可移动部和固定部与基础衬底相反的一侧上。压电驱动部具有由第一电极膜、第二电极膜以及位于第一和第二电极膜之间的压电膜构成的层叠结构，该第一电极膜与可移动部和固定部接触。可移动部和固定部中的至少一个设置有沿着压电驱动部延伸的沟槽。
基本信息
专利标题 ：
微移动器件及使用湿蚀刻的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1835188A
申请号 ：
CN200610058970.2
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阮俊英中谷忠司岛内岳明今井雅彦上田知史
申请人 ：
富士通株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
王玉双
优先权 ：
CN200610058970.2
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L29/84 H01H59/00 B81C1/00 B81B3/00 B81B7/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2009-10-07 ：
授权
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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