蚀刻基体的装置与方法
专利权的终止
摘要
为了改进用蚀刻液对例如在电路板(21)上的线路结构进行的蚀刻，可将蚀刻液以喷雾的形式(17)或相似形式喷到电路板(21)上。通过相应喷射装置(13、14)同直流电源(23)的一极接触，而电路板(21)同直流电源(23)的另一极接触，辅助并特别加速了蚀刻过程。
基本信息
专利标题 ：
蚀刻基体的装置与方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101163823A
申请号 ：
CN200680006806.5
公开（公告）日 ：
2008-04-16
申请日 ：
2006-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·施米德
申请人 ：
吉布尔·施密德有限责任公司
申请人地址 ：
德国弗罗伊登斯塔特
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
赵辛
优先权 ：
CN200680006806.5
主分类号 ：
C25F7/00
IPC分类号 ：
C25F7/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25F
电解法除去物体上材料的方法；其所用的设备
C25F7/00
从物体上电解除去材料用电解槽的构件，或其组合件；维护或操作
法律状态
2017-04-05 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101712358287
IPC(主分类) : C25F 7/00
专利号 : ZL2006800068065
申请日 : 20060224
授权公告日 : 20110413
终止日期 : 20160224
号牌文件序号 : 101712358287
IPC(主分类) : C25F 7/00
专利号 : ZL2006800068065
申请日 : 20060224
授权公告日 : 20110413
终止日期 : 20160224
2011-04-13 ：
授权
2008-06-11 ：
实质审查的生效
2008-04-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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