在等离子体室中对衬底进行等离子体处理的方法和等离子体处理...
公开
摘要
一种在等离子体室中对衬底进行等离子体处理的方法，包括以下步骤：a.向等离子体室供应电源信号，以便在等离子体室中形成等离子体；b.监测与等离子体处理相关的至少一个参数；c.确定与所监测的所述至少一个参数相关的特征；d.在等离子体处理期间调整电源信号以修改特征。
基本信息
专利标题 ：
在等离子体室中对衬底进行等离子体处理的方法和等离子体处理系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586129A
申请号 ：
CN202080066867.0
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
W·加耶夫斯基K·鲁达J·斯维亚特尼基
申请人 ：
通快许廷格有限公司
申请人地址 ：
波兰兹隆卡
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
顾凌云
优先权 ：
CN202080066867.0
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01J37/34
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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