用等离子体CVD涂敷或处理衬底的方法及装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种等离子体ＣＶＤ方法，其中，能沉积涂层材料的反应气体流过待涂敷表面，气体在一装置中通过两微波输入件（７，８）馈入的微波激化成带状等离子体，该装置包括端壁（２，３）及一正方形截面的波导管（１），微波与等离子体耦合是用波导管棱边上的隙缝（６）实现的，两个交叉的微波偏振器（４，５）置于波导管中，每个偏振器让相邻的微波输入件馈入的微波通过，而不让非相邻的微波输入件输入的微波通过，端壁和相邻偏振器间的距离选定适于形成驻波。
基本信息
专利标题 ：
用等离子体CVD涂敷或处理衬底的方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1067930A
申请号 ：
CN92103677.9
公开（公告）日 ：
1993-01-13
申请日 ：
1992-04-30
授权号 ：
CN1038948C
授权日 ：
1998-07-01
发明人 ：
Ｊ·奥托
申请人 ：
肖特玻璃制造厂
申请人地址 ：
联邦德国美因茨
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张志醒
优先权 ：
CN92103677.9
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2007-06-27 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-06-12 ：
其他有关事项
1998-07-01 ：
授权
1994-03-09 ：
实质审查请求的生效
1993-01-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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