一种直流偏压控制方法及等离子体处理装置
公开
摘要
本发明提供一种直流偏压控制方法，包含：探测晶圆表面的直流偏置电压信号；同步偏置射频功率源的输出时钟信号，根据所述输出时钟信号判断偏置射频功率源的输出方式，并根据所述输出时钟信号、输出方式对探测的直流偏置电压信号进行采样、去噪后计算反馈值；根据所述反馈值调整偏置射频功率源的输出功率。本发明还提供一种等离子体处理装置。本发明能够适用于连续波和脉冲波输出方式的偏置射频功率源。
基本信息
专利标题 ：
一种直流偏压控制方法及等离子体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582692A
申请号 ：
CN202011298561.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵馗关晓龙倪图强
申请人 ：
中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
代理机构 ：
上海元好知识产权代理有限公司
代理人 ：
张静洁
优先权 ：
CN202011298561.6
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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