高压深刻蚀石英盖板
授权
摘要
本实用新型公开了一种高压深刻蚀石英盖板，包括石英盖板本体、散热片、第一支撑板、第二支撑板、盖板合页以及加固槽，所述石英盖板本体的表面设置有散热片，所述第一支撑板设置于石英盖板本体的左侧，所述第二支撑板设置于石英盖板本体的右侧，所述盖板合页设置于石英盖板本体的下侧，所述加固槽活动安装于石英盖板本体的后部，辅助使用承载装置进行多枚硅片的盛放，需要通过盖板辅助承载装置进行硅片的保存，可用于保温筒使用，从而保存硅片。本实用新型适用于高压深刻蚀作用，其表面刻蚀液不易被自然风干燥及与硅片接触造成磨损碰撞，有助于提高散热效率，延长硅片的保存时长。
基本信息
专利标题 ：
高压深刻蚀石英盖板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021712326.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-17
授权号 ：
CN212648201U
授权日 ：
2021-03-02
发明人 ：
兰锋
申请人 ：
浙江泓芯半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省衢州市柯城区航埠镇通航一路3号1幢、2幢、3幢
代理机构 ：
浙江永鼎律师事务所
代理人 ：
陆永强
优先权 ：
CN202021712326.4
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2021-03-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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