硅片承载结构即分离装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种硅片承载结构，包括基台，基台上并排设置的第一条形支撑架和第二条形支撑架，第一条形支撑架沿其延伸方向设置有多个第一卡槽，第二条形支撑架沿其延伸方向设置有多个第二卡槽，多个第一卡槽与多个第二卡槽一一对应，第一卡槽包括沿垂直于基台的方向相叠置的多个子卡槽，该多个子卡槽在第一方向上的宽度随着第一卡槽的深度的增加而减小；第二卡槽包括沿垂直于基台的方向相叠置的多个子卡槽，该多个子卡槽在第一方向上的宽度随着第二卡槽的深度的增加而减小；第一方向为第一条形支撑架的延伸方向。本实用新型还涉及一种分离装置。
基本信息
专利标题 ：
硅片承载结构即分离装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020988709.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-02
授权号 ：
CN211879352U
授权日 ：
2020-11-06
发明人 ：
任少军
申请人 ：
西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
许静
优先权 ：
CN202020988709.8
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2020-11-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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