多源蒸发物理气相沉积系统
专利权的终止
摘要

本发明公开了多源蒸发物理气相沉积系统,包括真空子系统、多蒸发源子系统、运动子系统和加热子系统;真空子系统包括真空室和真空获得系统,真空获得系统保证真空室内流场的均匀分布;多蒸发源子系统包括多个蒸发源,根据薄膜组分的数量,相应数量的蒸发源同时同向蒸发形成蒸气粒子流场;运动子系统实现基片在流场内的平面运动,基片表面及其运动平面垂直于蒸发面;加热子系统用于基片的加热保证表面温度分布的均匀性。采用本系统制备薄膜时,基片的运动轨迹和速度都是按照预先设定的方案进行,可获得厚度和摩尔组分比均匀分布的大面积薄膜,而且获得了性能优良的大面积高k钛酸锶薄膜,本系统适于科学研究和多组分高性能功能薄膜的产业化生产。

基本信息
专利标题 :
多源蒸发物理气相沉积系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1804106A
申请号 :
CN200610001881.4
公开(公告)日 :
2006-07-19
申请日 :
2006-01-25
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
樊菁舒勇华刘宏立
申请人 :
中国科学院力学研究所
申请人地址 :
100080北京市海淀区北四环西路15号
代理机构 :
北京中创阳光知识产权代理有限责任公司
代理人 :
尹振启
优先权 :
CN200610001881.4
主分类号 :
C23C14/24
IPC分类号 :
C23C14/24  C23C14/56  C23C14/54  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2018-02-09 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C23C 14/24
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20080416
终止日期 : 20170125
2008-04-16 :
授权
2006-09-13 :
实质审查的生效
2006-07-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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