真空蒸发物理气相沉积薄膜生长装置

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种真空蒸发气相沉积薄膜生长装置，属物理气相沉积技术领域。本实用新型的装置主要包括有一种罩形玻璃容器(9)，其上部为烧有钨丝的玻璃顶盖(11)，两者结合处设置有密封圈凹槽(10)；容器(9)底部有一盛放源料物质(1)的蒸发管(2)与之连接；在肩部形成的腔体平台(3)上放置有隔热板(4)，并在其上放有玻璃基片(5)，基片(5)上面设有贴紧的基片加热板(6)；容器(9)中部设有真空抽气口(8)；容器外壁周围设有循环冷却水管(7)。该装置的操作温度要求源料物质的温度要求范围为50～120℃，加热板的温度要求范围为室温～100℃。真空度要求为10^－3～10^－4Pa(帕)。本实用新型的装置结构简单，易于操作，可重复使用；特别适合于制备较大面积的探测器级碘化汞薄膜。

基本信息

专利标题：

真空蒸发物理气相沉积薄膜生长装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720069314.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-04-25

授权号：

CN201024211Y

授权日：

2008-02-20

发明人：

史伟民郑耀明徐环

申请人：

上海大学

申请人地址：

200444上海市宝山区上大路99号

代理机构：

上海上大专利事务所

代理人：

顾勇华

优先权：

CN200720069314.2

主分类号：

C23C14/24

IPC分类号：

C23C14/24 C23C14/54 C23C14/06