一种基于脉冲气流生长二硫化钼薄膜的化学气相沉积装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于脉冲气流生长二硫化钼薄膜的化学气相沉积装置，包括操作平台和沉积箱，所述操作平台顶端中间位置处安装有沉积箱，所述操作平台顶端一侧中间位置处安装有处理箱，所述处理箱顶端一侧中间位置处安装有排气管，所述沉积箱两侧中间位置处通过支撑座均安装有储气包，两侧所述储气包一侧中间位置处均安装有氩气管，所述操作平台顶端背离处理箱一侧中间位置处安装有原料罐B。本实用新型解决了现有装置多将两种原料加热后直接输送至加热炉内部进行反应，沉积过程中，二硫化钼沉积均匀度不佳，且无法对反应废气进行中和处理，直接排放污染生态环境，使用环保性不佳的问题，提高了本实用新型的生产质量和环保效果。
基本信息
专利标题 ：
一种基于脉冲气流生长二硫化钼薄膜的化学气相沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122622761.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
CN216614838U
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
任斌曹俊
申请人 ：
江苏籽硕科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省泰州市医药高新技术产业开发区经济开发区创新创业产业园三期4号电子厂房1层、2层
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙峰
优先权 ：
CN202122622761.9
主分类号 ：
C23C16/30
IPC分类号 ：
C23C16/30 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
法律状态
2022-05-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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