金属氧化物超导薄膜的化学气相快速沉积工艺
专利申请的视为撤回
摘要
一种用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)快速沉积金属氧化物超导薄膜的工艺，其特征在于维持反应室压力为66.5～133帕的低压，衬底温度700～850℃，有机源升华温度80～250℃，反应室氧分压为13.3～93帕，用本发明的工艺，超导膜的沉积速率达20μm/h，沉积得到表面光亮、致密，成分均匀，超导临界温度大于90K，77K下零场电流密度大于2×106A/cm2，最大可达8×106A/cm2的YBCD超导薄膜。
基本信息
专利标题 ：
金属氧化物超导薄膜的化学气相快速沉积工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1078327A
申请号 ：
CN92108395.5
公开（公告）日 ：
1993-11-10
申请日 ：
1992-04-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陶卫吴自良
申请人 ：
中国科学院上海冶金研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
季良魁
优先权 ：
CN92108395.5
主分类号 ：
H01B12/06
IPC分类号 ：
H01B12/06 H01L39/24 C23C16/40
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
H01B12/02
按其形状区分的
H01B12/06
在基体上或线芯上的薄膜或线
法律状态
1997-07-16 ：
专利申请的视为撤回
1993-11-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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