偶联剂蒸发装置及气相沉积系统
授权
摘要
本实用新型实施例公开一种偶联剂蒸发装置及气相沉积系统，涉及气相沉积技术领域，用于对工件进行气相沉积操作。其中，偶联剂蒸发装置包括：多个偶联剂容纳部；支撑部，具有至少一个定位件，多个所述偶联剂容纳部等间距设置于所述支撑部的一侧，所述支撑部通过所述定位件固定在沉积室内壁上。本实用新型公开实施例通过在沉积室内壁上等间距设置多个用于蒸发偶联剂的偶联剂容纳部，可有效改善化学气相沉积过程中工件表面沉积的偶联剂的均匀度，进而提高气相沉积后的工件的质量。
基本信息
专利标题 ：
偶联剂蒸发装置及气相沉积系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020935295.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-28
授权号 ：
CN212834021U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
张建飞宋文庆王凯吴兴华
申请人 ：
立讯电子科技（昆山）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市锦溪镇锦昌路158号
代理机构 ：
北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘锋
优先权 ：
CN202020935295.2
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/448
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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