一种腐蚀性、危险性气态前驱体的原子层沉积过程控制方法
授权
摘要
本发明提出一种腐蚀性、危险性气态前驱体的原子层沉积过程控制方法，实现气态前驱体的精准控制和安全有序注入。本发明利用在前驱体注入两个气动阀门之间加装气态前驱体容量可调装置，精准控制前驱体的注入量，通过阀门有序开启和关闭前驱体注入气动阀门、真空泵抽气气动阀门以及载气吹扫气动阀门来分别实现两种腐蚀性、危险性气态前驱体的交替有序注入、准静止态扩散吸附反应、过量前驱体和反应产物移除等原子层沉积过程。本发明能够实现原子层沉积过程中腐蚀性、危险性气态前驱体用量的精准控制，减少该类前驱体的使用安全隐患，降低环境压力和使用成本。
基本信息
专利标题 ：
一种腐蚀性、危险性气态前驱体的原子层沉积过程控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111188028A
申请号 ：
CN202010126746.2
公开（公告）日 ：
2020-05-22
申请日 ：
2020-02-28
授权号 ：
CN111188028B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
冯昊秦利军张王乐龚婷李建国惠龙飞
申请人 ：
西安近代化学研究所
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区丈八东路168号
代理机构 ：
中国兵器工业集团公司专利中心
代理人 ：
祁恒
优先权 ：
CN202010126746.2
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-06-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20200228
申请日 : 20200228
2020-05-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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