可减少粉末沾黏的粉末原子层沉积设备
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种可减少粉末沾黏的粉末原子层沉积设备，主要包括一真空腔体、一轴封装置及一驱动单元，其中驱动单元经由轴封装置连接真空腔体，并带动真空腔体转动。真空腔体包括一腔体及一盖体，其中盖体包括一内表面、一底面及一第一环形斜面，底面通过第一环形斜面连接内表面，以在内表面上形成一凹槽。盖体连接腔体时，盖体上的凹槽会与腔体的空间形成一特殊形状的反应空间，并可避免在进行原子层沉积的过程中，造成粉末沾黏在腔体或盖体的内表面。
基本信息
专利标题 ：
可减少粉末沾黏的粉末原子层沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114381713A
申请号 ：
CN202111145311.3
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林俊成
申请人 ：
鑫天虹(厦门)科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市厦门火炬高新区(翔安)产业区洪溪南路9号A栋102
代理机构 ：
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙皓晨
优先权 ：
CN202111145311.3
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/44
申请日 : 20210928
申请日 : 20210928
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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