一种粉末原子层沉积设备
授权
摘要
本实用新型涉及原子层沉积技术领域，尤其是一种一种粉末原子层沉积设备。其包括反应体，所述反应体内设置上下贯通的反应腔体，反应体的上端开口处密封连接上盖体，反应体的下端开口处密封连接下盖体；所述上盖体上设置与反应腔体连通的抽真空口，抽真空口上连接截止阀一端，截止阀另一端连接抽真空管一端，抽真空管另一端连接真空泵。本实用新型具有多孔旋叶的前驱体注入装置，能够在沉积过程中，特别是前驱体注入过程中通过旋叶的转动分散注入前驱体，使粉末分散的同时均匀吸附前驱体，完成大批量粉体镀膜。
基本信息
专利标题 ：
一种粉末原子层沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121889295.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-12
授权号 ：
CN216274362U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
冯嘉恒
申请人 ：
无锡科硅电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市湖滨路655号526室
代理机构 ：
无锡华源专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙力坚
优先权 ：
CN202121889295.4
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/44
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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