一种原子层沉积镀膜装置
授权
摘要
本实用新型涉及原子层沉积镀膜技术领域，公开了一种原子层沉积镀膜装置。原子层沉积镀膜装置包括真空腔室、沉积腔室、放置架、输气单元和排气管。沉积腔室置于真空腔室内；放置架上形成有多个容纳空间，硅片能够置于容纳空间内；输气单元沿沉积腔室的周向设置有至少两个，输气单元包括多个输气管，多个输气管沿沉积腔室的高度方向间隔排布，输气管与沉积腔室连通；排气管与沉积腔室连通。本实用新型实现了在多个方向和多种高度上向沉积腔室内部输送沉积原料，保证了硅片上镀膜层的均匀性，提高了封装效果，从而保证了镀膜层对于硅片的保护作用，保证了产品的合格率以及耐用性。
基本信息
专利标题 ：
一种原子层沉积镀膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123185106.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
CN216514118U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
卢青周文斌任国璐盛嫦娥曹云岭沈倩徐超孙剑高裕弟
申请人 ：
昆山梦显电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市晨丰路188号
代理机构 ：
北京远智汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
林波
优先权 ：
CN202123185106.8
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/40 C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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