一种原子层沉积镀膜设备的上下片系统
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摘要
本实用新型涉及薄膜制备技术领域，尤其是一种原子层沉积镀膜设备的上下片系统，其特征在于：包括工艺真空室以及成膜室，其中所述成膜室位于所述工艺真空室的内部，在所述工艺真空室的底部下方设置有载入载出室，所述载入载出室与所述成膜室之间构成连通，所述载入载出室内设置有用于上下片的载台，所述载台连接有升降机构并可在其驱动下沿高度方向自所述载入载出室进出所述内腔成膜室，实现上下片。本实用新型的优点是：能够保证成膜工艺时的密闭性，同时避免微小颗粒物掉落至产品上，从而有效保证产品质量；热量散失小，减少再加热所需的时间和效能，从而缩短成膜工艺所需的整体时间，提高经济性；结构简单，合理，且便于后期的检修维护，适于推广。
基本信息
专利标题 ：
一种原子层沉积镀膜设备的上下片系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021518755.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-28
授权号 ：
CN212533121U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
崔国东戴秀海余海春魏晓庆董黄华
申请人 ：
光驰科技（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市宝山区宝山城市工业园区城银路267号
代理机构 ：
上海申蒙商标专利代理有限公司
代理人 ：
周宇凡
优先权 ：
CN202021518755.8
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/458 C23C16/46
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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