一种气相沉积炉内气体悬浮装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种气相沉积炉内气体悬浮装置，包括平行设置并且旋转配合的石墨盘和底座，所述底座上设有主进气孔、第一分气孔、第二分气孔、第一倾斜出气孔和第二倾斜出气孔，所述第一分气孔、第二分气孔分别位于所述主进气孔的两侧，所述第一分气孔、第二分气孔分别与所述主进气孔交汇连通于同一点。本实用新型的有益效果是：在主进气孔的同一位置分出第一分气孔、第二分气孔，再分别通过第一倾斜出气孔、第二倾斜出气孔产生旋转气体，推动石墨盘悬浮并转动，保证了气体流动阻力一致，有效保证了两倾斜气体流量一样，悬浮效果好，旋转顺畅，可显著提高薄膜均匀性以及质量，并有效延长装置的使用周期。
基本信息
专利标题 ：
一种气相沉积炉内气体悬浮装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922156987.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-05
授权号 ：
CN211079325U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
黄洪福蓝图袁永红雷宏涛
申请人 ：
深圳市志橙半导体材料有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区松岗街道潭头社区健仓科技研发厂区办公楼307
代理机构 ：
深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗志伟
优先权 ：
CN201922156987.7
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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