一种氧化铪基铁电薄膜电容器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种氧化铪基铁电薄膜电容器及其制备方法，制备方法包括如下步骤：S1：在衬底上沉积底电极层；S2：对步骤S1沉积的底电极层进行一定时间的紫外臭氧辐射处理；S3：在步骤S2处理后的底电极层上生长Hf0.5Zr0.5O2薄膜层；S4：在步骤S3生长的Hf0.5Zr0.5O2薄膜层上沉积顶电极层，得到衬底/底电极/Hf0.5Zr0.5O2/顶电极的四层结构产物；S5：对步骤S4得到的衬底/底电极/Hf0.5Zr0.5O2/顶电极的四层结构产物进行快速退火处理。本发明的制备方法操作简便，可控性强，效率高，制备的氧化铪基铁电薄膜质量高、铁电性能好。
基本信息
专利标题 ：
一种氧化铪基铁电薄膜电容器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114360929A
申请号 ：
CN202111600634.7
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陆旭兵张岩帅文韬
申请人 ：
华南师范大学
申请人地址 ：
广东省广州市番禺区外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院
代理机构 ：
广州骏思知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴静芝
优先权 ：
CN202111600634.7
主分类号 ：
H01G13/00
IPC分类号 ：
H01G13/00 H01G7/06 H01L27/11502
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G13/00
制造电容器的专用设备；H01G4/00-H01G11/00组中不包含的电容器的专用制造方法
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01G 13/00
申请日 : 20211224
申请日 : 20211224
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
