一种PSINT基高熵铁电薄膜材料的制备方法

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摘要

本发明涉及一种PSINT基高熵铁电薄膜材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种PSINT基高熵铁电薄膜材料的制备方法，是将PSINT前驱体溶液旋涂在衬底上面，得到湿膜；制得的湿膜首先在300‑350℃干燥5‑10min，然后在550‑600℃热解5‑10min，最后在700‑800℃于空气氛围中退火3‑5min，得到一层PSINT薄膜；重复以上步骤多次，得到多层PSINT薄膜；另外将制得的湿膜首先在300‑400℃干燥3‑5min，然后在500‑600℃热解3‑5min，得到一层PSINT薄膜；重复上述步骤多次，得到未完全晶化的PSINT薄膜，在700‑800℃于空气氛围中晶化30‑60min，得到完全晶化的PSINT薄膜；将得到的多层PSINT薄膜和得到的完全晶化的PSINT薄膜分别退火，即得所需薄膜。获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、电场击穿强度大、电卡效应大等优点的薄膜。

基本信息

专利标题：

一种PSINT基高熵铁电薄膜材料的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112062563A

申请号：

CN202010981769.1

公开（公告）日：

2020-12-11

申请日：

2020-09-17

授权号：

CN112062563B

授权日：

2022-05-03

发明人：

彭彪林于芳

申请人：

广西大学

申请人地址：

广西壮族自治区南宁市大学东路100号

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司

代理人：

卢波

优先权：

CN202010981769.1

主分类号：

C04B35/497

IPC分类号：

C04B35/497 C04B35/622