一种测量铁电薄膜负电容的方法
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摘要
本发明公开了一种测量铁电薄膜负电容的方法。本发明包括以下步骤：①通过脉冲激光沉积方法，制备不同厚度铪锆摩尔比为1：1的HZO铁电薄膜；②对HZO铁电薄膜电容器进行电学性能分析。本发明通过分析不同厚度HZO铁电薄膜的退极化电场随外加电压的变化，获得一种测量HZO铁电薄膜负电容的方法。本发明能够有效地判断铁电薄膜在外电场作用下是否呈现出负电容效应，如果硅表面电势和沟道电流出现陡增的现象，则表明该结构中存在铁电薄膜负电容效应，现象越明显，表明负电容效应越强，从而器件的亚阈值特性越好，本发明对超低功耗MOS结构场效应晶体管的设计具有很好的指导意义。
基本信息
专利标题 ：
一种测量铁电薄膜负电容的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110609222A
申请号 ：
CN201910855628.2
公开（公告）日 ：
2019-12-24
申请日 ：
2019-09-10
授权号 ：
CN110609222B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
肖永光谭逢前燕罗唐明华
申请人 ：
湘潭大学
申请人地址 ：
湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号
代理机构 ：
湘潭市汇智专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
冷玉萍
优先权 ：
CN201910855628.2
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R27/26 H01L21/66 H01L49/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-01-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20190910
申请日 : 20190910
2019-12-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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