一种铁电薄膜材料I－V特性的测量方法及测量装置
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摘要
本发明提供一种铁电薄膜材料I－V特性的测量方法及装置，属于铁电薄膜材料测试领域。本发明的装置包括样品台(1)、探针台(2)、静电计(3)、屏蔽罩(4)、计算机及自动控制和数据处理软件(5)，本发明的测量方法采用自编软件实现自动控制测量以及数据采集和处理，测得的铁电薄膜材料在不同电压下的漏电流值更接近于样品的真实漏电流值。本发明综合考虑了铁电薄膜材料的自发极化电流、介质极化电流、漏电流以及老化电流对I－V特性测量的影响，设计了一套简便易行的、能够准确测量铁电薄膜材料I－V特性的方法及装置，既可以适用于SrTiO3等室温为顺电相的薄膜材料，也可以适用于PZT、SBT等室温为铁电相的铁电薄膜材料。
基本信息
专利标题 ：
一种铁电薄膜材料I－V特性的测量方法及测量装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1818689A
申请号 ：
CN200610024706.7
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹菲董显林王根水李建潼
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
200050上海市定西路1295号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200610024706.7
主分类号 ：
G01R31/00
IPC分类号 ：
G01R31/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/00
电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置；在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L21/66；线路传输系统的测试入H04B3/46）
法律状态
2009-07-22 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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