3D NAND存储器的空洞检测方法
授权
摘要
本申请提供一种3D NAND存储器的空洞检测方法，包括：去除填充层的位于多个间隔设置的堆叠结构上的部分；去除所述第二牺牲层以及所述填充层的位于相邻第二牺牲层之间的部分；去除所述第二绝缘层以及所述填充层的位于相邻第二绝缘层之间的部分；形成覆盖于衬底的侧壁和底部的保护层；使用第一湿法刻蚀工艺对3D NAND存储器进行处理并进行空洞检测。本申请提供的空洞检测方法，通过对所述填充层进行部分去除处理，而露出所述填充层的位于相邻第一牺牲层之间的部分的顶面，再使用第一湿法刻蚀工艺处理所述衬底，通过检测所述衬底是否存在刻蚀痕迹而确定所述填充层是否存在空洞，从而防止3D NAND存储器产生漏电异常。
基本信息
专利标题 ：
3D NAND存储器的空洞检测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113410152A
申请号 ：
CN202110616489.5
公开（公告）日 ：
2021-09-17
申请日 ：
2021-06-02
授权号 ：
CN113410152B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
韩烽陈金星马霏霏
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
熊永强
优先权 ：
CN202110616489.5
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L27/11556 H01L27/11582
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-10-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20210602
申请日 : 20210602
2021-09-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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