三维存储器及检测方法
授权
摘要
本申请提供了一种检测三维存储器的方法，该方法包括：部分移除衬底以暴露至少两个沟道结构的存储膜的一部分，以形成至少两个刻蚀区；向至少两个刻蚀区执行第一刻蚀，其中，第一刻蚀被配置为能够刻蚀掉沟道层与第一刻蚀的刻蚀材料接触到的部分；在执行第一刻蚀后，向至少两个刻蚀区执行第二刻蚀，其中，第二刻蚀被配置为能够刻蚀掉存储膜和填充层与第二刻蚀的刻蚀材料接触到的部分；以及比较执行第二刻蚀后的多个刻蚀区的形貌差异获得检测结果。该方法以较为简单的方式实现了微小缺陷的检出，具有大批量操作的可能性，避免因忽略了此类缺陷带来的损失。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器及检测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113421834A
申请号 ：
CN202110689315.1
公开（公告）日 ：
2021-09-21
申请日 ：
2021-06-22
授权号 ：
CN113421834B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
王庆陈金星
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202110689315.1
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L27/1157 H01L27/11582
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-10-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20210622
申请日 : 20210622
2021-09-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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