一种DRAM存储器的性能检测方法和检测电路
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种DRAM存储器的性能检测方法和检测电路。DRAM存储器的性能检测方法包括如下步骤：将存储单元的字线的一端和/或位线的一端分别与测量焊盘连接，所述存储单元位于DRAM存储器的边缘；对与所述测量焊盘连接的字线的一端和/或位线的一端施加测量电压或测量电流；通过所述测量焊盘输出测量结果。通过将位于DRAM存储器的边缘的存储单元的字线的一端和/或位线的一端分别与测量焊盘连接，施加测量电压或测量电流，输出所述测量结果，能够在不影响存储单元的情况下对存储器进行性能检测，不影响产品良率和产品的成本。
基本信息
专利标题 ：
一种DRAM存储器的性能检测方法和检测电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114360618A
申请号 ：
CN202011092831.8
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2020-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李相惇孙永载赵劼杨涛张欣
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘广达
优先权 ：
CN202011092831.8
主分类号 ：
G11C29/08
IPC分类号 ：
G11C29/08 G11C29/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试，例如，在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/08
申请日 : 20201013
申请日 : 20201013
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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