本公开提供一种存储器的检测方法，涉及半导体技术领域，用于解决无法测试存储器预充电时间的技术问题，该存储器的检测方法先在第一对角线和第二对角线上写入第一存储数据，之后再写入第二存储数据，按照第一读取顺序读取位于第一对角线和第二对角线上的存储单元的存储数据，并在每读取一个存储单元的存储数据之前，缩短与该存储单元连接的位线和参考位线预充电时间，以增加该存储单元读取时出错的几率，若是该存储单元的存储数据与第一存储数据不同或者与第二存储数据不同，则证明出错时的第一预设时间为该存储器对应的行预充电时间的边界值，缩短了测试时间，此外，对角线周边为未知数据，拓宽了测试环境的设定范围，可对不同的存储器进行测试。