三维存储器及其检测方法
授权
摘要
本申请提供了一种三维存储器。该三维存储器包括：存储阵列芯片，包括第一键合面；外围电路芯片，包括第二键合面，其中，存储阵列芯片在第一键合面处与外围电路芯片在第二键合面处键合连接；受检电路，包括位于存储阵列芯片中的第一导电层和位于外围电路芯片中的第二导电层，其中，第一导电层包括暴露于第一键合面的第一键合触点，第二导电层包括暴露于第二键合面的第二键合触点，第一导电层和第二导电层通过第一键合触点和第二键合触点键合连接后形成受检电路；以及检测模块，位于外围电路芯片和/或存储阵列芯片中，并与受检电路的第一端连接，用于检测受检电路的开路或者短路情况。本申请能够增加受检电路的检测结果的准确性。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器及其检测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113488452A
申请号 ：
CN202110748364.8
公开（公告）日 ：
2021-10-08
申请日 ：
2021-06-30
授权号 ：
CN113488452B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
杨荟汤强史维华
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202110748364.8
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L21/66 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-10-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20210630
申请日 : 20210630
2021-10-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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