具有在相邻晶体管有源区之间的屏蔽线的集成组合件
公开
摘要
一些实施例包含一种集成组合件，其具有由基座支撑且沿着第一方向延伸的数字线。屏蔽连接线由所述基座支撑，且沿着所述第一方向延伸。晶体管有源区在所述数字线上方。所述有源区中的每一者包含在上源极/漏极区与下源极/漏极区之间的沟道区。所述下源极/漏极区与所述数字线耦合。电容器与所述上源极/漏极区耦合。字线沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸。所述字线包含邻近所述沟道区的栅极区。屏蔽线沿着所述第二方向延伸。所述屏蔽线在所述数字线上方，且与所述屏蔽连接线耦合。
基本信息
专利标题 ：
具有在相邻晶体管有源区之间的屏蔽线的集成组合件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616667A
申请号 ：
CN202080075116.5
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-10-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·马里亚尼A·里加诺
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
江泰維
优先权 ：
CN202080075116.5
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242 G11C5/00 G11C5/02 G11C5/06 G11C7/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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