一种具有三层有源层结构的薄膜晶体管
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有三层有源层结构的薄膜晶体管，包括衬底、有源层、绝缘层、栅电极、第一源漏电极和第二源漏电极，有源层包括具有阻光性的第一子层、用于提供载流子的第二子层和具有氢离子阻隔性的第三子层，栅电极与有源层被绝缘层阻隔开，第一源漏电极和第二源漏电极分别与有源层的一侧连接，第一源漏电极与栅电极、第二源漏电极与栅电极被绝缘层阻隔开。本实用新型通过使用三层结构的有源层，能够避免氢离子扩散以及外界光照射对迁移率和偏压稳定性的影响，从而兼顾迁移率和偏压稳定性这两个重要的性能，有利于制造高分辨率和高刷新率的显示器产品。本实用新型广泛应用于晶体管技术领域。
基本信息
专利标题 ：
一种具有三层有源层结构的薄膜晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122053064.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-27
授权号 ：
CN216488072U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
刘川郭敏陈国苇
申请人 ：
中山大学
申请人地址 ：
广东省广州市海珠区新港西路135号
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
梁嘉琦
优先权 ：
CN202122053064.6
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/10
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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