具有在阱区中的钳位区和晶体管单元的碳化硅器件
公开
摘要
一种碳化硅器件包括晶体管单元(TC)，该晶体管单元包括栅电极(155)和具有第一导电类型的源极区(110)。在碳化硅本体(100)中形成漏极/漂移区(130)。具有第二导电类型的埋置区(425)和漏极/漂移区(130)形成pn结。埋置区(425)和阱区(410)形成单极结。埋置区(425)的平均净掺杂剂密度N2大于阱区(410)的平均净掺杂剂密度N1。具有第一导电类型的第一钳位区(411)延伸到阱区(410)中。第一低电阻欧姆路径(901)电连接第一钳位区(411)和栅电极(155)。具有第一导电类型的第二钳位区(412)延伸到阱区(410)中。第二低电阻欧姆路径(902)电连接第二钳位区(412)和源极区(110)。
基本信息
专利标题 ：
具有在阱区中的钳位区和晶体管单元的碳化硅器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361238A
申请号 ：
CN202111165369.4
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
拉尔夫·西明耶克沃尔夫冈·扬切尔大卫·卡默兰德尔德塔德·彼得斯约阿希姆·魏尔斯
申请人 ：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址 ：
德国瑙伊比贝尔格市
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
康建峰
优先权 ：
CN202111165369.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/16 H01L29/78
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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