一种低钳位电压单向TVS器件
授权
摘要
本实用新型公开一种低钳位电压单向TVS器件，包括P型半导体衬底、位于TVS器件两侧的N型隔离区，TVS器件的中部设有P型半导体衬底，所述P型半导体衬底的两侧设有N型隔离区，所述P型半导体衬底的上部设有N型上掺杂区，所述N型上掺杂区的两侧设有P型掺杂区，所述P型半导体衬底的下部设有N型下掺杂区；通过在传统单向TVS二极管中集成了一个NPN三极管，利用了NPN三极管反向击穿负阻效应，实现了在浪涌电流增加时，可以有效降低单向TVS器件的钳位电压，使得被保护电路可以正常工作，增加了电路的使用寿命，减少了后端电路发生损坏或者误操作的可能性，提高了电路的安全性。
基本信息
专利标题 ：
一种低钳位电压单向TVS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921235540.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-01
授权号 ：
CN210272368U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
邹有彪王全倪侠徐玉豹王超
申请人 ：
富芯微电子有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区柏堰科技园香蒲路503号
代理机构 ：
北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
胡剑辉
优先权 ：
CN201921235540.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861 H01L27/07 H01L21/329
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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