一种电压钳位电路

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摘要

本发明涉及一种电压钳位电路和碳化硅MOSFET导通损耗的测量系统及方法，所述电压钳位电路包括：场效应晶体管、栅极电阻、驱动信号源、源极电阻和齐纳二极管；当待测碳化硅MOSFET关断时，齐纳二极管击穿导致场效应晶体管断开，由场效应晶体管承担待测碳化硅MOSFET的大部分关断电压，电压测量正极端子和电压测量负极端子之间只有小部分的关断电压，将待测碳化硅MOSFET的关断电压限制为一个较小的值，从而可减小示波器的测试量程，在提高导通电压测量精度的同时避免示波器的饱和现象。

基本信息

专利标题：

一种电压钳位电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113110681A

申请号：

CN202110509529.6

公开（公告）日：

2021-07-13

申请日：

2021-05-11

授权号：

CN113110681B

授权日：

2022-04-12

发明人：

余秋萍孙鹏赵斌赵志斌

申请人：

华北电力大学

申请人地址：

北京市昌平区回龙观镇北农路2号

代理机构：

北京高沃律师事务所

代理人：

杜阳阳

优先权：

CN202110509529.6

主分类号：

G05F1/571

IPC分类号：

G05F1/571 G01R31/26