有源MOSFET电压钳位电路和双脉冲测试电路
授权
摘要
本实用新型涉及有源MOSFET电压钳位电路和双脉冲测试电路。该电压钳位电路，包括被测器件漏极连接有源钳位管漏极，有源钳位管源极连接钳位端X结点，被测器件的源极连接钳位端的Y结点，X结点通过二极管D1与Y结点之间并联电容C1、电阻R1和齐纳二极管D2，有源钳位管的栅极与被测器件的源极和钳位端Y结点的公共端之间并联电容C2和串联的电阻Rg、电源(Vcc)；有源钳位管的栅极施加固定栅极偏压(Vcc)，被测器件处于关态时，钳位端结点X和钳位端结点Y之间的电压VXY被钳位Vcc‑VTH,MT附近,当被测器件处于开态时，电压VXY跟随导通电压VDSON。
基本信息
专利标题 ：
有源MOSFET电压钳位电路和双脉冲测试电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020265295.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-05
授权号 ：
CN212008817U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
陈敬钟凯伦
申请人 ：
香港科技大学深圳研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新科技产业园南区粤兴一道9号香港科大深圳产学研大楼415室
代理机构 ：
深圳市惠邦知识产权代理事务所
代理人 ：
满群
优先权 ：
CN202020265295.6
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R27/08 G01R1/20 G05F1/565 G05F1/567 G01R15/14 G01R15/16
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212008817U.PDF
PDF下载
