具有晶体管单元和钳位区的碳化硅器件
公开
摘要
一种碳化硅器件(500)包括具有源极区(110)和栅电极(155)的晶体管单元(TC)。源极区(110)被形成在碳化硅本体(100)中并且具有第一导电类型。第一低电阻欧姆路径(901)电连接源极区(110)和具有第二导电类型的掺杂区(120)。掺杂区(120)和具有第一导电类型的浮动阱(410)形成pn结。具有第二导电类型的第一钳位区(411)延伸至浮动阱(410)中。第二低电阻欧姆路径(902)电连接第一钳位区(411)和栅电极(155)。
基本信息
专利标题 ：
具有晶体管单元和钳位区的碳化硅器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335138A
申请号 ：
CN202111165703.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
约阿希姆·魏尔斯弗朗茨·希尔勒沃尔夫冈·扬切尔大卫·卡默兰德尔拉尔夫·西明耶克
申请人 ：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址 ：
德国瑙伊比贝尔格市
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
康建峰
优先权 ：
CN202111165703.6
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L29/10
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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