本申请涉及具有升高的延伸区和半导体鳍片的晶体管。本发明提供设备以及形成类似晶体管的方法，所述设备具有连接在电压节点与负载节点之间的晶体管，其中所述晶体管包括：介电材料，其上覆半导体材料，所述半导体材料包括鳍片且具有第一导电类型；导体，其上覆所述介电材料；第一延伸区基底和第二延伸区基底，其形成在所述半导体材料中且具有第二导电类型；第一延伸区竖板和第二延伸区竖板，其形成为上覆相应第一延伸区基底和相应第二延伸区基底且具有所述第二导电类型；以及第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，其形成在相应第一延伸区竖板和相应第二延伸区竖板中且具有呈比其相应延伸区竖板更高的导电水平的所述第二导电类型。