具有升高的延伸区和半导体鳍片的晶体管
公开
摘要
本申请涉及具有升高的延伸区和半导体鳍片的晶体管。本发明提供设备以及形成类似晶体管的方法,所述设备具有连接在电压节点与负载节点之间的晶体管,其中所述晶体管包括:介电材料,其上覆半导体材料,所述半导体材料包括鳍片且具有第一导电类型;导体,其上覆所述介电材料;第一延伸区基底和第二延伸区基底,其形成在所述半导体材料中且具有第二导电类型;第一延伸区竖板和第二延伸区竖板,其形成为上覆相应第一延伸区基底和相应第二延伸区基底且具有所述第二导电类型;以及第一源极/漏极区和第二源极/漏极区,其形成在相应第一延伸区竖板和相应第二延伸区竖板中且具有呈比其相应延伸区竖板更高的导电水平的所述第二导电类型。
基本信息
专利标题 :
具有升高的延伸区和半导体鳍片的晶体管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114597216A
申请号 :
CN202111459315.9
公开(公告)日 :
2022-06-07
申请日 :
2021-12-02
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘海涛M·瓦奥莱特M·A·赫尔姆黄广宇V·米哈廖夫
申请人 :
美光科技公司
申请人地址 :
美国爱达荷州
代理机构 :
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 :
王龙
优先权 :
CN202111459315.9
主分类号 :
H01L27/11524
IPC分类号 :
H01L27/11524 H01L27/11529 H01L27/11556 H01L27/1157 H01L27/11573 H01L27/11582 H01L21/8234 H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器;其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
H01L27/11524
具有单元选择晶体管的,例如,NAND
法律状态
2022-06-07 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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