利用延伸间隙壁的半导体元件
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摘要
本发明是有关于一种利用延伸间隙壁的半导体元件。在一实施例中，此半导体元件包括在半导体基材上的闸极以及在闸极侧壁上的介电衬垫物。此半导体元件亦包括延伸间隙壁，此延伸间隙壁是毗邻介电衬垫物且沿着半导体基材侧向延伸越过介电衬垫物。此半导体元件更包括源极/汲极，此源极/汲极是位于半导体基材上表面的下方且毗邻于闸极下方的通道区。此源极/汲极是延伸至介电衬垫物及延伸间隙壁的下方。此半导体元件另更包括金属硅化区，此金属硅化区是在部分的源极/汲极的上方且沿着半导体基材侧向延伸越过延伸间隙壁。因此，金属硅化区是位于部分的源极/汲极的上方，而延伸间隙壁则介于介电衬垫物与金属硅化区之间。
基本信息
专利标题 ：
利用延伸间隙壁的半导体元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812126A
申请号 ：
CN200510123256.2
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈光鑫钟堂轩黄健朝温政国李迪弘
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹市新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510123256.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78
法律状态
2009-03-18 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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