IGBT有源钳位电路
授权
摘要
本实用新型涉及一种IGBT有源钳位电路，连接在IGBT的集电极和栅极之间，包括：与IGBT的集电极连接的第一瞬态电压抑制二极管；与所述第一瞬态电压抑制二极管连接的第二瞬态电压抑制二极管；与所述第二瞬态电压抑制二极管连接的第一电阻；与所述第一电阻连接的电容；与所述电容连接的第二电阻，所述第二电阻的另一端与IGBT的栅极连接；以及栅极接入所述电容与所述第一电阻之间的MOS管，所述MOS管的源极与IGBT的栅极连接，所述MOS管的漏极连接第三电阻与电源。本实用新型的IGBT有源钳位电路缓解了关断电流，从而减小了关断速度，可降低关断电压尖峰。
基本信息
专利标题 ：
IGBT有源钳位电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020919821.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-27
授权号 ：
CN211981740U
授权日 ：
2020-11-20
发明人 ：
植万湖周宣祁华铭何伟峰王勉
申请人 ：
上海金脉电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区零陵路583号9楼338室
代理机构 ：
上海唯源专利代理有限公司
代理人 ：
宋小光
优先权 ：
CN202020919821.6
主分类号 ：
H02M1/32
IPC分类号 ：
H02M1/32 H02H9/04 H02M1/08
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法律状态
2020-11-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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