具有包括无阱晶体管的CMOS结构的集成器件
实质审查的生效
摘要
一种集成器件，包括：衬底、第一晶体管和第二晶体管。第二晶体管被配置为耦合到第一晶体管。第一晶体管被配置为用作N型沟道金属氧化物半导体晶体管。第一晶体管包括在衬底之上设置的电介质层；在电介质层之上设置的第一源极；在电介质层之上设置的第一漏极；耦合到第一源极和第一漏极的第一多个沟道；以及围绕多个沟道的第一栅极。第二晶体管被配置为作为P型沟道金属氧化物半导体晶体管。第二晶体管包括电介质层；在电介质层之上设置的第二源极；在电介质层之上设置的第二漏极；耦合到第二源极和第二漏极的第二多个沟道；以及第二栅极。
基本信息
专利标题 ：
具有包括无阱晶体管的CMOS结构的集成器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114270513A
申请号 ：
CN202080058103.7
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-07-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·S·宋H·朴P·冯
申请人 ：
高通股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN202080058103.7
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L29/06 H01L29/08 H01L29/423 H01L29/775 H01L29/786 H01L21/335 H01L21/336 H01L21/8238 B82Y10/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/092
申请日 : 20200706
申请日 : 20200706
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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