可以充分吸收更广泛波长太阳光的太阳能电池结构

专利权的终止

摘要

可以充分吸收太阳光谱的太阳能电池结构，通过将染料增感塑性膜或纳米碳管淀积在硅太阳能电池的前电极上，和覆盖ITO透明导电玻璃层而构成的新的硅太阳能电池结构，具有双P－N结，可以增加太阳能电池对太阳光光谱内较长波长太阳光的吸收，使硅太阳能电池的光电转换效率显著提高。

基本信息

专利标题：

可以充分吸收更广泛波长太阳光的太阳能电池结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1937258A

申请号：

CN200510029974.3

公开（公告）日：

2007-03-28

申请日：

2005-09-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

苏晓平江彤

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

上海新高专利商标代理有限公司

代理人：

楼仙英

优先权：

CN200510029974.3

主分类号：

H01L31/042

IPC分类号：

H01L31/042 H01L31/068

法律状态

2019-09-10 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 31/042
申请日 : 20050923
授权公告日 : 20090909
终止日期 : 20180923

2012-01-04 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101259716568
IPC(主分类) : H01L 31/042
专利号 : ZL2005100299743
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111129

2009-09-09 ：

授权

2007-05-23 ：

实质审查的生效

2007-03-28 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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