背面电极型太阳能电池单元、太阳能电池组件以及太阳光发电系...
授权
摘要
背面电极型太阳能电池单元具备：第一导电型或第二导电型的半导体基板(1)的第一面(1b)的第一导电型杂质含有区域(2)和第二导电型杂质含有区域(3)及半导体基板(1)的第二面(1a)上的氮化硅膜(7)。氮化硅膜(7)中的氮的质量比为0.38以下。
基本信息
专利标题 ：
背面电极型太阳能电池单元、太阳能电池组件以及太阳光发电系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109168322A
申请号 ：
CN201780020687.7
公开（公告）日 ：
2019-01-08
申请日 ：
2017-02-27
授权号 ：
CN109168322B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
星名豊泽田幸平松原弘
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本国大阪府堺市堺区匠町1番地
代理机构 ：
深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
代理人 ：
汪飞亚
优先权 ：
CN201780020687.7
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/048
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-02-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0216
申请日 : 20170227
申请日 : 20170227
2019-01-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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