背极式硅基微型驻极体电容话筒

专利权的终止

摘要

本发明属传感器技术领域，具体为一种两片结构的背极式硅基微型驻极体电容话筒。其中，驻极体层位于带有背电极的固定背极板上，以单晶硅或多晶硅为振膜，振膜片上的振膜和硅框架以同种材料组成，以克服因应力不匹配导致的振膜高破损率；以二氯二甲基硅烷作为对氮氧化硅储电层的化学表面修正试剂，形成具有高抗湿能力的完善驻极体表面疏水层，通过调控栅控恒压或恒流电晕充电参数并组合热处理，以改善因包含大量声学孔的驻极体层所面临的电荷储存能力下降的问题。本发明大大提高了产品成品率。

基本信息

专利标题：

背极式硅基微型驻极体电容话筒

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1802037A

申请号：

CN200510030144.2

公开（公告）日：

2006-07-12

申请日：

2005-09-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

夏钟福沈绍群王飞鹏王丽李军胡绘钧

申请人：

深圳市豪恩电声科技有限公司;同济大学;复旦大学

申请人地址：

518109广东省深圳市龙华镇大浪水围工业区9幢

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司

代理人：

陆飞

优先权：

CN200510030144.2

主分类号：

H04R19/01

IPC分类号：

H04R19/01 H04R19/04 H04R31/00

法律状态

2015-11-11 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101633280148
IPC(主分类) : H04R 19/01
专利号 : ZL2005100301442
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20110914
终止日期 : 20140929

2011-12-28 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101249314168
IPC(主分类) : H04R 19/01
专利号 : ZL2005100301442
变更事项 : 专利权人
变更前 : 深圳市豪恩电声科技有限公司
变更后 : 深圳市豪恩声学股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518109 广东省深圳市龙华镇大浪水围工业区9幢
变更后 : 518109 广东省深圳市龙华镇大浪水围工业区9幢
变更事项 : 共同专利权人
变更前 : 同济大学;复旦大学
变更后 : 同济大学;复旦大学

2011-09-14 ：

授权

2008-02-13 ：

实质审查的生效

2006-07-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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