低温渗铬涂层及其制备方法和应用
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开一种涂层制备技术，具体地说是两步法低温渗铬涂层及其制备方法和应用。渗铬涂层成分由渗入的铬和来自复合镀层金属M及少量稀土氧化物组成，其中稀土氧化物RexOy为Re＝Ce、Y、La等，按质量份数计，渗铬涂层中表面层中铬含量为50～90份，其余为M和微量稀土元素氧化物，其中M来自M－RexOy复合镀层。制备过程如下：以金属Ni、Fe或Co、碳钢或低合金钢为基材，在基材上采用复合电镀方法制得纳米晶的M－RexOy复合镀层，然后在600℃～800℃扩散渗铬，获得稀土氧化物改性的渗铬涂层。本发明使传统渗铬工艺的温度由1000℃以上降低为600℃～800℃，且工艺简单，易于推广，涂层在高温下可热生长保护性的致密Cr2O3氧化膜，抗氧化好。
基本信息
专利标题 ：
低温渗铬涂层及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1948554A
申请号 ：
CN200510047407.0
公开（公告）日 ：
2007-04-18
申请日 ：
2005-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彭晓张海媛王福会
申请人 ：
中国科学院金属研究所
申请人地址 ：
110016辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
代理机构 ：
沈阳科苑专利商标代理有限公司
代理人 ：
张志伟
优先权 ：
CN200510047407.0
主分类号 ：
C23C30/00
IPC分类号 ：
C23C30/00 C23C28/00 C25D5/00 C23C8/62
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C30/00
仅以金属材料组成为特征的金属材料镀覆，即不以镀覆工艺为特征
法律状态
2011-09-14 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101183787131
IPC(主分类) : C23C 30/00
专利申请号 : 2005100474070
公开日 : 20070418
号牌文件序号 : 101183787131
IPC(主分类) : C23C 30/00
专利申请号 : 2005100474070
公开日 : 20070418
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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