无阻式偏流发生电路
授权
摘要

一种偏流发生电路,其产生可靠并且恒定的偏流,而不管所施功率、过程以及温度的变化。在一个实施例中,该偏流发生器采用PTAT电流发生器和IPTAT电流发生器产生偏流,该PTAT电流发生器和IPTAT电流发生器包括例如晶体管的专用有源电路元件。未采用例如电阻器的无源元件。所产生的偏流基本为该器件的电流路径的晶体管的各个宽长比的函数。以这种方式,所得的生成的偏压电流极大地降低了对所施功率、过程以及温度变化的敏感度。

基本信息
专利标题 :
无阻式偏流发生电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1828471A
申请号 :
CN200510048896.1
公开(公告)日 :
2006-09-06
申请日 :
2005-11-15
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张维承李承勋
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
黄小临
优先权 :
CN200510048896.1
主分类号 :
G05F3/24
IPC分类号 :
G05F3/24  G05F3/26  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制;调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F3/00
应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统
G05F3/02
调节电压或电流的
G05F3/08
其中变量是直流的
G05F3/10
利用具有非线性特性的非控制器件
G05F3/16
非控制器件是半导体器件
G05F3/20
应用了二极管与三极管的组合
G05F3/24
其中只用场效应型晶体管的
法律状态
2010-06-23 :
授权
2007-05-02 :
实质审查的生效
2007-01-10 :
发明专利申请公布说明书更正
更正卷 : 22
号 : 36
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
误 : 缺少优先权第二条
正 : 2005.08.31 US 11/225,587
2006-09-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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