高频发生电路
授权
摘要
本实用新型涉及高频技术领域，具体涉及一种高频发生电路，能够根据实际需要输出高频正弦波，且结构简单实用，成本低，易于操作。本实用新型高频发生电路，包括第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、第一二极管、第二二极管、第一电容以及第一电感，第一N沟道MOS管以及第二N沟道MOS管的栅极与外部电源连接，源极接地，第一N沟道MOS管的漏极与第一二极管的阴极连接，第一二极管的阳极与第二N沟道MOS管的栅极连接，第二N沟道MOS管的漏极与第二二极管的阴极连接，第二二极管的阳极与第一N沟道MOS管的栅极连接，第一电容以及第一电感的两端分别与第一沟道MOS管以及第二N沟道MOS管的漏极连接。本实用新型适用于高频发生设备。
基本信息
专利标题 ：
高频发生电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021949769.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-08
授权号 ：
CN213072609U
授权日 ：
2021-04-27
发明人 ：
赵双盟冯志刚
申请人 ：
四川长虹电子部品有限公司
申请人地址 ：
四川省绵阳市安州工业园区科兴路四川长虹电子部品有限公司
代理机构 ：
成都虹桥专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴中伟
优先权 ：
CN202021949769.5
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687
法律状态
2021-04-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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